MOCVD装置の洗浄技術 -エレクトロニクス分野

MOCVD装置の反応炉部品用ドライ洗浄装置（登録特許第5021907号）

本特許は、窒化物半導体製造装置を構成する石英ガラス製部品のドライ洗浄技術に関する発明です。

窒化物半導体製造装置は、基板に、窒化ガリウム（GaN）や窒化ガリウムアルミニウム（AlGaN）等の膜を製造する装置です。この装置を構成するウエハトレーやガス流路などの部品には、膜の製造工程において窒化物が付着し、これが不要な汚染源となり、窒化物半導体を製造するうえで障害となることから、汚れた部品を洗浄して汚染物を除去する必要があります。
当社のCLEANDEX®は、500～1000°C以下の温度で、窒素ガスで希釈された低濃度の塩素ガスを用いて洗浄することを特徴としています。