ホスフィン

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化学式Chemical formulas

PH3

英名English Notation

Phosphine

純度Purity

一般 >99.9995%　スーパーホスフィン >99.9998%　ULホスフィン >99.9999%

容器サイズCylinder

48L　47L　10L　9.4L　3.4L　1L　0.35L

混合製品における製造可能濃度Mixture Concentration

ホスフィン：2ppm～50%（SiH4ﾍﾞｰｽ：1000ppm以上）
スーパーホスフィン、ULホスフィン：1%～50%

分類Classification

半導体材料ガス(Electronics Gases)｜シリコン半導体・液晶(Silicon Semiconductor・LCD)｜CVD(Chemical Vapor Deposition)
半導体材料ガス(Electronics Gases)｜シリコン半導体・液晶(Silicon Semiconductor・LCD)｜イオン注入(Ion implantation)
半導体材料ガス(Electronics Gases)｜化合物半導体(Compound Semiconductor)｜CVD(Chemical Vapor Deposition)
半導体材料ガス(Electronics Gases)｜化合物半導体(Compound Semiconductor)｜イオン注入(Ion implantation)

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