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気相成長装置 -エレクトロニクス分野

軸受部材を基板外径より内側に配置し、公転サセプタの外周寄りに基板を配置(特許第5436043号)

本特許は、基板に半導体薄膜を気相成長させる自公転型の気相成長装置において、サセプタなどの部品類を大型化することなく、基板数を増加させることができる技術に関するものです。

基板を自転させる軸受部材を、基板外径よりも内側に配置することで、従来よりも公転サセプタの外周寄りに基板を配置することができます。
これにより、公転サセプタに配置可能な基板数を増加させることができ、一度に気相成長させることができる半導体薄膜の面積を増大させることができます。

特長

  • 基板を自転させる軸受部材を基板外径より内側に配置することで、公転サセプタに配置可能な基板数を増加させることができます。
  • 一度に気相成長させることができる半導体薄膜の面積を増大させることができます。

対象商品

  • MOCVD

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