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MOCVD -エレクトロニクス分野

中央部に凹部を設け、断熱部や冷却手段を装備(登録特許第4542860号)

MOCVD装置は反応炉にトリメチルガリウム(TMG)やアンモニアなどの原料ガスを送り込み、反応炉内に設置された基板の上に所定の半導体膜を成長させていくものです。

本特許装置は、3層構造の中央ノズルから外周方向に原料ガスを供給し、外周より排気される反応炉で、サセプタの公転に伴い各々の基板が自転する自公転方式の装置です。

2インチ基板10枚あるいは3インチ基板8枚が一度の成長で処理できます。

特長

  • 図のとおり、サセプタの中央部に凹部を設け、さらに断熱部や冷却手段を設けたことが本特許の特徴です。
  • これにより、1000℃以上の高温に加熱された基板からの熱輻射や対流伝熱によるガス導入部の先端温度の上昇を抑えることができます。

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