エレクトロニクス/半導体材料ガス

半導体材料ガスは当社の関連会社(100%出資)であるジャパンファインプロダクツ(株)にて、高品質なガスを徹底した管理のもと製造しています。

半導体及び液晶の製造工程では、ガス製膜・エッチング・クリーニング等において高純度な半導体材料ガスが使用されます。当社は国内のみならずグローバルに安全・安定的にガスを供給しています。

用途例

エピタキシャル成長

[Epitaxial Growth]

SiHCl3(SiH4、SiH2Cl2

研磨終了後、あるいは埋め込み拡散層を形成後のウェーハ上に、気相成長法によりシリコン単結晶膜を形成する。反応容器(チャンバー)内でウェーハを1100°Cの前後の高温にし、原料ガスを流し、シリコン原子を下地ウェーハの結晶格子に倣って連続的に積もらせる。

リソグラフィ(写真蝕刻)

[Lithography]

(Ne-Ar-F2

ウェーハ上にフォトレジスト(感光性樹脂)を使用し、レジスト膜を形成させ、写真を焼き付けるように、回路パターンをウェーハ上に転写させる。

イオン注入

[Ion Implant]

AsH3、PH3

ウェーハの特定領域を導電型にするために、添加すべき導電型不純物(ヒ素、リン、ホウ素等)をイオン化して、ウェーハ上のその特定領域に打ち込む。

CVD(化学気相成長法)

[Chemical Vapor Deposition]

SiH4、PH3、B2H6、SiH2Cl2、Si2H6

原料をガス状態で供給し、下地膜の表面における化学触媒反応によって各種薄膜を堆積させる。

熱拡散

[Diffusion]

NO

ウェーハを高温の拡散炉に入れ、不純物の元素からなるガスを導入し、P型(ホウ素)、N型(ヒ素・リン等)の不純物による接合部を形成させる。

ドライエッチング

[Dry Etching]

CF4、CHF3、C4F8、CO、C5F8

回路パターンに従って、プラズマやイオンビームを照射して、ウェーハの膜を削り取る。

供給形態

ボンベ

カードル

液化ガス用大型コンテナ

トレーラー

半導体材料ガスの種類

  • モノシラン
  • アルシン
  • ホスフィン
  • ジボラン
  • ゲルマン
  • ジクロロシラン
  • セレン化水素
  • 四塩化ケイ素
  • ジシラン
  • 三フッ化ホウ素
  • 三塩化ホウ素
  • 塩化水素
  • アンモニア
  • 三フッ化窒素
  • 四フッ化珪素
  • フロン-218
  • 臭化水素
  • 塩素
  • 三フッ化塩素
  • フロン-14
  • フロン-23
  • フロン-116
  • フロン-32
  • 亜酸化窒素
  • トリクロルシラン
  • 四塩化チタン
  • 弗化水素
  • 三フッ化リン
  • 五フッ化リン
  • 六フッ化タングステン
  • フロン-22
  • フロン-123